米国IRD社（International Radiation Detectors）のシリコンフォトダイオードは、短波長領域（UV・
EUV・軟X線）の検出に利用されており、用途に合わせて、絶対値測定用AXUV、放射線耐力が高い
SXUVおよび紫外線検出用UVGの３シリーズから選択いただけます。

 

３シリーズとも、ダイオードのリニアアレイ、４極のビーム位置モニター、フィルター蒸着、ピンホール・
スリット付タイプを揃えており、一部を除き、高真空・超高真空へ対応しています。

 

　　　　　　　 

 

AXUV（Absolute XUV）シリーズは、入射部がSiO₂（6〜8）nmの薄膜で構成されており、最広対応
波長 ( 0.04 nm ~ 1100nm)、エネルギー領域（1.12 eV ~ 30 keV）、および一部の領域で100%
内部量子効率（QE）を実現し、フォトンの絶対強度の測定、および低エネルギー電子・イオン検出に使用
可能です。（内部量子効率100%の領域はモデルにより異なります。）

 

 

 

SXUV（Strong XUV）シリーズは、入射部に放射線耐力の強いケイ素化金属の層があるため、
耐放射線性が高い反面、内部量子効率および感度の低下により絶対強度の測定には適しませんが、
高フラックスおよびUV/EUVパルス光源のエネルギー密度0.1μJ/cm2以上のフォトン検出に適しています。

 

 

 

UVGシリーズの入射部には（40〜150）nmのSiO₂層があり、内部量子効率100%の領域は波長
（130〜1100）nmに最適化されています。この領域では、AXUVシリーズと同様に、フォトンの絶対
強度の測定が可能です。

 

 

 

必要に応じて、周辺電子機器およびアクセサリーをお選びください。

 

　・プリアンプ（フォトダイオードに合わせた連続光源またはパルス光源検出用）
　・バイアスティー等の電子機器
　・テフロンソケット、セラミックスソケット等（フォトダイオードの固定、取付け・取外し用）

 

＜フォトダイオード内蔵プリアンプ＞

＜フォトダイオード用ソケット＞